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MRF8P20161HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(TA
=25°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performance
(1)
(In Freescale Doherty Test Fixture, 50 ohm system) VDD
=28Vdc,IDQA
= 550 mA, VGSB
=1.6Vdc,
1880--1920 MHz Bandwidth
Pout
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
?
97
?
W
Pout
@ 3 dB Compression Point, CW
P3dB
?
147
?
W
IMD Symmetry @ 30 W PEP, Pout
where IMD Third Order
?
30 dBc
Intermodulation
(Delta IMD Third Order Intermodulation between Upper and Lower
Sidebands > 2 dB)
IMDsym
?
55
?
MHz
VBW Resonance Point
(IMD Third Order Intermodulation Inflection Point)
VBWres
?
65
?
MHz
Gain Flatness in 40 MHz Bandwidth @ Pout
=37WAvg.
GF
?
0.1
?
dB
Gain Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?G
?
0.01
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(--30°Cto+85°C)
?P1dB
?
0.009
?
dB/°C
1. Measurement made with device in a Symmetrical Doherty configuration.
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